9月20日至23日，在安徽合肥举行的2019世界制造大会上，长鑫存储宣布其DRAM生产线投产。这标志着我国在存储芯片领域取得重大突破。合肥将依托长鑫存储引进芯片设计、封装测试、设备材料、智能终端等项目，打造机场集成电路配套产业园。

与会多位专家表示，集成电路产业是支撑经济社会发展、保障国家安全的战略性、基础性、先导性产业。随着5G、人工智能、物联网、大数据、云计算等领域技术的逐步成熟，我国集成电路产业将迎来广阔的发展空间。目前，我国集成电路产业“三产业”（封装测试、设计、制造）的比重趋于合理，调整为3:4:3的黄金比例。预计未来三年我国集成电路市场将保持稳定增长。

重大突破

据介绍，9月20日在安徽合肥召开的2019世界制造大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储存储芯片（DRAM）自主制造项目宣布投产，这是10nm级与国际主流DRAM产品同步。第一代8Gb DDR4首次亮相。 9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布开始量产国内首款基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存，满足固态硬盘等主流市场应用需求。和嵌入式存储。

DRAM是动态随机存储器芯片，是主存（memory）。 DRAM作为一种常见的系统内存，具有大容量、大带宽、低功耗、时延短、成本低等特点。广泛应用于PC、手机、服务器等领域。是集成电路产业产值占比最大的单芯片品类。 .外置存储器NAND Flash主要用于代码存储和数据存储等，广泛应用于消费电子、移动通信、网络通信、个人电脑、服务器等领域。

长江存储和长鑫存储的投产意义重大，有望打破海外厂商在内存市场的垄断。 DRAM交易所数据显示，2018年全球DRAM市场中，三星、SK海力士、美光分别占据44%、29%、22%，三家公司合计全球市场份额达到95%；尽管全球NAND存储市场的集中度低于DRAM市场，但仍被龙头企业控制。三星、东芝、美光、西部数据、SK海力士、英特尔的市场份额分别为35%、19%、13%、15%、10%和7%，六家公司的全球市场份额合计为99 %。

传财证券指出，在2018年我国集成电路进口分类中，存储器仍是进口产品第一，占比36%。目前，我国集成电路市场仍以进口为主，国产化率较低，尤其是DRAM、NAND存储器，以及计算机、服务器CPU等，国产化率几乎为零。随着集成电路产业的发展，我国在集成电路高端领域将有明显提升，未来集成电路产业将有巨大的进口替代市场。国盛证券表示，数据的爆发式增长是存储行业增长的核心把握，数据增长的源头是设备连接数和生成设备数的增长。这将带动数据处理能力——对应DRAM的需求，数据存储量对应NAND Flash的需求。过去五年，设备连接数的增长主要来自智能手机等消费电子设备。下一阶段，物联网设备和汽车将成为设备连接数量的核心驱动因素。根据 IC Insight 的预测，2018 年至 2023 年复合增长最快的细分市场仍然是存储芯片，增长率为 7.8%，比整体半导体市场高出 1 个百分点。

广阔的空间

专家表示，全球最大的市场需求是我国发展集成电路产业的优势。 5G、物联网、人工智能、云计算等新技术赋能制造业